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三菱电机:匠心独具 打造功率半导体行业“样本”

2019-07-01 21:44:40 作者:admin 来源: 网友评论 0

     “从未对创新懈怠,保持着一贯的技术迭代步伐。”这是三菱电机半导体在60余年的漫长征程里彰显出来的企业气质。这家世界500强企业,始终保持着一颗低姿态、高标准、严要求的匠人心态,努力用产品说话。

     “从未对创新懈怠,保持着一贯的技术迭代步伐。”这是三菱电机半导体在60余年的漫长征程里彰显出来的企业气质。这家世界500强企业,始终保持着一颗低姿态、高标准、严要求的匠人心态,努力用产品说话。

6月26日,三菱电机在PCIM亚洲展会上,带来了19款功率模块并重点展示了表面贴装型IPM、大型DIPIPM+TM、X系列HVIGBT、和SiC MOSFET分立器件、全SiC高压模块5款新型功率模块。其中SiC  MOSFET分立器件和全SiC高压模块是国内首次展出。

在媒体发布会上,三菱电机就最新的Si功率芯片、SiC功率芯片技术,面向家电、汽车、牵引和工业应用的新型功率模块,以及下一代产品布局进行了全面的阐述。   

    今年,三菱电机展出了更小封装的表面贴装型IPM,该产品采用RC-IGBT芯片实现更高的集成度,采用贴片封装,使得IPM体积更小;内置全面保护功能(包括短路/欠压/过温保护),可采用回流焊来降低生产成本。

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表面贴装型IPM

        SiC功率模块由于有耐高温、低功耗和高可靠性的特点,可以拓展更多应用领域。对于以后开拓新市场来说,SiC是最好的选择。毋庸置疑的是,SiC已经成为各企业争相布局的下一个制高点。

据权威机构预测,到2023年SiC功率市场总值将超过14亿美元,2017年至2023年的复合年增长率(CAGR)将达到29%。目前,SiC功率市场仍然主要受功率因数校正(PFC)和光伏(PV)应用中使用的二极管驱动。预计五年内,驱动SiC器件市场增长的主要因素将是MOSFET,该细分市场在2017~2023年期间的复合年增长率将达到惊人的50%。

三菱电机是将SiC技术应用于功率模块的先驱之一,已经发布了近三十款SiC功率模块,包括Hybrid-SiC-IGBT模块、Hybrid-SiC-IPM、Full-SiC-MOSFET模块和Full-SiC-IPM等。其SiC功率模块产品线涵盖额定电流15A~1200A及额定电压600V~3300V,目前均可提供样品。

未来,三菱电机将基于第2代沟槽型SiC-MOSFET芯片(6英寸)的SiC功率模块实现可批量生产,并逐步完善600V、1200V、1700V系列。与此同时,将应用SBD嵌入式平板型SiC芯片技术开发新一代3.3kV和6.5kV高压SiC-MOSFET模块。

2019年,大功率的半导体器件都处于缺货的状态,交货很紧。对于此, Dr. Gourab Majumdar表示,三菱电机除了自己投产建立晶圆厂之外,也正在找寻一些代工厂帮助其加工一些晶圆的工序,保证持续稳定的供货。事实上,与2016年、2017年相比较,2019年三菱电机的投资金额增长了2倍,对于未来的扩产计划,Dr.Gourab Majumdar很有信心。

顺应IGBT的发展趋势,从第一代IGBT到第七代IGBT,三菱电机不断推陈出新,晶圆越来越薄,栅极与栅极之间距离越来越近,产品越来越小型化,实现小封装大电流产品的提升。Dr.Gourab  Majumdar称三菱电机下一代超级薄的晶圆会把性能指数调整得更高。

 

 


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